小型CVD管式爐爐管兩端不銹鋼法蘭密封，可在真空下工作，法蘭上有進氣口和出氣口，可通入保護氣體，精密針型閥可調節進氣流量。

爐型可選擇普通管式爐、滑動管式爐、旋轉管式爐、立式管式爐。

化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。

應用領域：

小型CVD管式爐是一種多功能的材料制備設備，可以用于制備多種類型的材料，特別是二維材料。在使用時，需要根據具體的材料和實驗要求，選擇合適的反應條件和工藝參數，以獲得高質量的材料樣品。

主要技術參數：

電爐名稱：1200℃-CVD管式爐

爐管尺寸：φ25--φ120mm

溫區長度：300mm

設計溫度：1200℃

爐型結構：普通管式爐、滑動管式爐、旋轉管式爐、立式管式爐。

氣體控制：2路浮子混氣室、3路浮子混氣室、5路浮子混氣室；2路質子混氣室、3路質子混氣室、5路質子混氣室；

電源電壓：AC220V/50Hz

控溫精度：±1℃

電爐特點

1、一體式結構，立式設計，雙色搭配，美觀、大方

2、殼體為高強度雙層鈑金，并輔以風冷強制對流，有效的降低了爐體表面溫度，增強了安全性。

3、殼體采用高精度激光切割和數控折彎工藝成型，尺寸精準爐整體結構緊湊，占地面積小。

4、整體配色大方美觀，靜電噴塑工藝環保防腐，雙色搭配，可支持自由定制噴涂顏色。

6、爐膛材料選用高純氧化鋁陶瓷纖維材料，新型拼裝結構，高溫不變形、堅固耐用

2、加熱元件采用高溫合金絲，可承受負荷大，穩定且使用壽命長

3、爐管采用石英管，兩端不銹鋼法蘭設計簡單、合理、易拆卸，方便進出被燒結樣品

4、升溫速度快，升溫速率可達25℃/min，建議20℃/min。

5、采用智能PID控制，控溫精度高，沖溫小，具有溫度補償和溫度校正功能，精度為±1℃

6、控溫儀表具有程序功能，可設定升溫曲線，可編程序30段

7、一體式結構，出色的外觀設計，美觀、大方

8、電子元器件均采用知名電爐，配有漏電保護功能

9、本機對工作過程中的超溫會發出報警信號，并自動完成保護動作

10、當儀表程序設定完成后，只要按下運行按鈕，接下來的工作會自動完成

11、可選配大屏幕觸摸屏無紙記錄儀，實現對升溫曲線的實時記錄，并配有存儲卡可對實驗數據進行分析和打印

12、可選配氣體質量流量計，通入氣體可數字精確控制

主要技術參數：

1200℃滑動式真空管式爐CVD

1200℃滑動式真空管式爐爐體小巧，升溫速度極快，它不僅可以抽真空,也可以通氣體保護。其結構使得拆裝爐管方便，操作簡捷，使用者可直接將密封腔體移出爐體，加快降溫過程，透明石英管腔體可直觀的看到樣品燒結狀態。爐管工件橫穿與進口電阻絲的爐膛，溫場均勻，內外溫差可控制在正負3度，滑軌爐設計可是樣品快速升溫或降溫。預熱的裝置可以很好控制固態源的蒸發，可用于二維材料的制備等，是一款性價比極高的快速升降溫爐。

多路氣體配比器：2路混氣室

應用注意事項

爐管內氣壓不可高于0.02MPa

由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全

當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態

進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊

石英管的長時間使用溫度＜1100℃

對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）

小型CVD管式爐通常用于哪些材料的制備？

小型CVD管式爐是一種常用于材料科學研究和工業生產的設備，它能夠在高溫、高壓、高真空等苛刻條件下進行各種材料的制備、燒結、還原等實驗。根據搜索結果，小型CVD管式爐通常用于以下幾類材料的制備：

石墨烯：石墨烯是一種由單層碳原子以蜂窩狀排列構成的二維材料，具有優異的導電、導熱性能和力學強度。CVD管式爐是制備石墨烯的常用設備之一，通過在高溫和高真空環境下，使用氫氣作為還原性氣體，通入到爐內，生成石墨烯。

碳納米管：碳納米管是一種由碳原子組成的管狀納米材料，具有優異的電學、熱學和力學性能。CVD管式爐可以用于制備碳納米管，通過控制反應條件，可以調控碳納米管的直徑、長度和結構。

二硫化鉬：二硫化鉬是一種過渡金屬硫化物，具有良好的半導體性能和催化性能。CVD管式爐可以用于制備二硫化鉬薄膜，通過改變反應條件，可以調控薄膜的厚度和結構。

其他二維材料：除了上述材料外，CVD管式爐還可以用于制備其他二維材料，如磷烯、硼烯等。這些材料都具有獨特的物理和化學性質，被廣泛應用于光電器件、傳感器、催化劑等領域。

如何根據需要選擇合適的小型CVD管式爐？

選擇合適的小型CVD管式爐需要考慮以下幾個關鍵因素：

應用需求：首先確定需要進行的CVD應用，例如生長薄膜、合成納米材料、制備涂層等。不同的應用可能需要不同類型的CVD爐，如低壓CVD、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）等。

材料類型：根據所需材料的特性和性質，選擇適合的CVD爐。例如，有機材料可能需要低溫CVD，而無機材料可能需要高溫CVD。

工作溫度范圍：確定您的CVD工藝所需的工作溫度范圍。不同的爐子有不同的最高和最低溫度限制，因此，選擇能夠滿足您工藝要求的爐子是非常重要的。

爐管材質：爐管的材質對于CVD過程的影響很大。常見的爐管材質有石英、剛玉和金屬等。石英爐管適用于高溫和腐蝕性環境，而金屬爐管則適用于需要更高真空度的環境。

反應氣體：確定需要使用的反應氣體種類和純度要求。一些CVD爐可以處理多種氣體，而另一些可能只適用于特定類型的氣體。

真空系統：對于許多CVD工藝來說，真空環境是必不可少的。因此，選擇一個合適的真空系統是非常重要的。需要考慮的因素包括真空泵的類型、抽速和真空度等。

爐腔尺寸：根據處理樣品的尺寸和數量，選擇合適的爐腔尺寸和容積。確保爐腔足夠大，以容納需要處理的樣品，并保持樣品的均勻沉積。

加熱方式： CVD爐可以采用不同的加熱方式，如電阻加熱、感應加熱等。根據處理材料的特性和加熱均勻性要求，選擇合適的加熱方式。

氣體控制系統：CVD過程需要精確控制氣體的流量和比例。因此，選擇一個可靠的氣體控制系統是非常重要的。需要考慮的因素包括氣體流量計的精度、氣體的混合方式以及氣體的供應方式等。

能源消耗： 考慮CVD爐的能源消耗情況，選擇能效高、節能環保的設備，可以降低生產成本并符合環保要求。

設備尺寸和占地面積：需要根據您的實驗室或工廠的空間大小和布局來選擇合適的設備尺寸和占地面積。

品牌和服務： 選擇知名度高、信譽良好的廠家和品牌，確保產品質量和售后服務的可靠性。

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